芯片金線(xiàn)三維檢測(cè)
Wirebond光場(chǎng)檢測(cè)，支持隨線(xiàn)全檢，提前消除wirebond工藝段異常帶來(lái)的隱患，提升芯片后道封裝良率，避免后端PCBA段損失。
場(chǎng)景實(shí)例
多線(xiàn)、并線(xiàn)、球偏等缺陷，易造成芯片封裝后短路等NG情況；
少線(xiàn)、斷線(xiàn)、球起、腳起等缺陷，易造成芯片封裝后斷路等NG情況；
檢出芯片臟污、劃痕、崩邊；金線(xiàn)塌線(xiàn)、緊線(xiàn)等異常情況，消除芯片NG潛在風(fēng)險(xiǎn)。
場(chǎng)景方案
相機(jī)型號(hào) | VA6H-17B1@L3D00XW |
可檢芯片類(lèi)型 | 金線(xiàn)線(xiàn)徑：≥18μm |
金線(xiàn)間距：2倍線(xiàn)徑 | |
金線(xiàn)層數(shù)：≤2層 | |
可檢芯片尺寸 | ≤5mmx5mm |
可檢線(xiàn)高范圍 | 100μm≤H≤600μm |
檢測(cè)準(zhǔn)確率 | 過(guò)檢率：≤0.1% |
漏檢率：≤0.1% | |
檢測(cè)效率高 | UPH≥20000pcs |
案例分享
項(xiàng)目檢測(cè)需求
| 項(xiàng)目名稱(chēng) | 缺陷檢測(cè) |
| 產(chǎn)品描述 | Tray盤(pán)：143×67mm2； |
| MEMS芯片：4×1.5mm2； | |
| 金線(xiàn)：直徑17.78μm，線(xiàn)高410~440μm； | |
| 整版：720顆芯片； | |
| 需求描述 | 檢測(cè)金線(xiàn)缺陷：線(xiàn)偏、斷線(xiàn)、少線(xiàn)、并線(xiàn)、塌線(xiàn)、線(xiàn)高等；檢測(cè)焊球缺陷：無(wú)球、球偏、大小球等； |
| 需求背景 | 傳統(tǒng)方案無(wú)法通過(guò)三維的信息進(jìn)行缺陷判定，無(wú)法量化檢測(cè)高度信息 |
| 項(xiàng)目狀況 | 2020年12月，溝通需求； |
| 2021年3月，投入驗(yàn)證； | |
| 2021年11月，首套驗(yàn)證通過(guò)； | |
| 2021年12月，批量交付； | |
| 產(chǎn)品方案 | 金線(xiàn)檢測(cè)方案： |
| VS2@L1D00XW及VA6H-17B1@L3D00CG | |
| 檢測(cè)效率 | 20000UPH |
| 產(chǎn)品運(yùn)行情況 | 截至目前穩(wěn)定運(yùn)行 |
項(xiàng)目環(huán)境標(biāo)準(zhǔn)
| 內(nèi)容 | 參數(shù)要求 |
| 來(lái)料平坦度 | 1）真空吸附；2）產(chǎn)品四角定位銷(xiāo)；3）正面壓板；樣品四角高度差＜±30μm； |
| 相機(jī)運(yùn)動(dòng)控制 | 相機(jī)可Z向移動(dòng)，重復(fù)精度＜1μm |
| 相機(jī)&光源觸發(fā)控制 | 通過(guò)PLC觸發(fā)相機(jī)采集圖像；響應(yīng)時(shí)間＜10ms； |
| 工作震動(dòng) | 相機(jī)曝光時(shí)長(zhǎng)約1ms；畫(huà)面不存在抖動(dòng)； |
| 操作系統(tǒng) | 顯卡驅(qū)動(dòng)為現(xiàn)場(chǎng)調(diào)試時(shí)最新版本 |
| 工控機(jī)要求 | 配備N(xiāo)vidiaRTX3060顯卡 |
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